RAM（随机存取存储器）
本地实验舱 固定容量的 256 × 8 RAM（随机存取存储器） 支持上升沿同步写入、异步读取，以及 Q0–Q7 三态输出。CS、WE 和 OE（输出使能） 均为高电平有效。
概述
本地实验舱 RAM是一个固定的256字节×8位存储器，支持同步写入、异步读取、三态输出，并配备实时内存检查器。
本地实验舱 的确切实现
| 引脚 | 作用 |
|---|---|
| A0–A7 | 地址 0x00–0xFF；A0为最低有效位（LSB）。 |
| D0–D7 | 写入数据；D0为最低有效位（LSB）。 |
| CS, WE, OE | 所有控制均为高电平有效。 |
| CLK（时钟） | 上升沿写入时钟。 |
| Q0–Q7 | 读取数据或高阻态。 |
检查器窗口
- 单击或打开RAM，即可使用可拖动的256 × 8内存查看器。
- “十六进制视图”显示16 × 16字节表及ASCII内容；单击字节即可编辑。
- “位网格”显示每个字节的全部八位；单击某一位即可翻转其值。
- 顶部显示读写次数、非零字节或置位的位、最近一次访问，并高亮最近一次写入。
- 导入、导出和清除操作作用于当前运行中的RAM映像。
运行时参考
| 端子 | 方向 |
|---|---|
A0 |
输入 |
A1 |
输入 |
A2 |
输入 |
A3 |
输入 |
A4 |
输入 |
A5 |
输入 |
A6 |
输入 |
A7 |
输入 |
D0 |
输入 |
D1 |
输入 |
D2 |
输入 |
D3 |
输入 |
D4 |
输入 |
D5 |
输入 |
D6 |
输入 |
D7 |
输入 |
CS |
输入 |
WE |
输入 |
CLK |
输入 |
OE |
输入 |
Q0 |
输出 |
Q1 |
输出 |
Q2 |
输出 |
Q3 |
输出 |
Q4 |
输出 |
Q5 |
输出 |
Q6 |
输出 |
Q7 |
输出 |
新放置元件的输出初始状态按上方输出端子顺序排列为：ZZZZZZZZ。四态符号为 0、1、X（主动驱动的未知态）和 Z（高阻态）。默认传播延迟：5 ns（仿真时间）。
学习路径
后续步骤
常见问题
什么是 RAM？
CS=1 且 WE=1 时，在 CLK 上升沿将 D0–D7 写入 A0–A7 指定的地址。CS=1、WE=0 且 OE=1 时，Q0–Q7 异步输出该地址的字节；否则输出为 Z。
RAM 如何寻址？
A0–A7 从 0x00–0xFF 的 256 个字节位置中选择一个，A0 为地址最低有效位。这是模拟器内部状态；该元件不模拟某种具体的 SRAM（静态随机存取存储器） 或 DRAM（动态随机存取存储器） 存储单元技术。